氮化硅中氟、氯的測定
電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準(zhǔn)確測定具有重要意義。
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電子級的氮化硅薄膜是通過化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造，而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會對相關(guān)接觸部件造成嚴(yán)重腐蝕，所以對氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準(zhǔn)確測定具有重要意義。
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碳化硅（SiC）又名金剛砂，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。目前中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。
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二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件，是光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。
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光刻工藝是半導(dǎo)體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上，為下一步進(jìn)行刻蝕或者離子注入工序做好準(zhǔn)備。
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在集成電路制造過程中，常需要在晶圓上定義出極細(xì)微尺寸的圖案，這些圖案主要的形成方式是藉由蝕刻技術(shù)，將微影后產(chǎn)生的光阻圖案忠實(shí)的轉(zhuǎn)印至光阻下的材質(zhì)上，以形成集成電路的復(fù)雜架構(gòu)。
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N-甲基吡咯烷酮，簡稱 NMP，無色透明油狀液體，微有胺的氣味。能與水、醇、醚、酯、酮、鹵代烴、芳烴互溶。揮發(fā)度低，熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性均佳，能隨水蒸氣揮發(fā)，有吸濕性，對光敏感。
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電池級微粉碳酸鋰系白色粉末，微溶于水，易溶于酸，是生產(chǎn)鋰電池的關(guān)鍵原料。主要用于電池行業(yè)制造鈷酸鋰、鎳酸鋰、磷酸鐵鋰、錳酸鋰等離子電池正極材料，也可用于充電鋰離子電池電解質(zhì)添加劑。
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氫 氧 化 鎳 是 鎳 基 電 池（Ni-MH、NiCd、Ni-Fe、Ni-Zn）的正極活性物質(zhì)，碳酸鎳、氫氧化鎳鈷分別是鋰電池正極材料碳酸鎳錳和鎳鈷酸鋰的合成原料。
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硫酸錳，易溶于水，不溶于乙醇，常以多種水合物的形式存在。硫酸錳是合成錳系正極材料的原料，還被廣泛應(yīng)用于電解錳、染料、造紙以及陶瓷等工業(yè)生產(chǎn)中。
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氫氧化鎳鈷錳是制備鋰離子二次電池正極材料——鎳鈷錳酸鋰的前軀體。它通過在純凈的鎳、鈷、錳的溶液中配入適當(dāng)?shù)牧蛩徨i、硫酸鎳或硫酸鈷，調(diào)整溶液中鎳、鈷、錳元素摩爾比1:1:1，再加入液堿調(diào)節(jié) pH值得到鎳鈷錳氫氧化物。
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